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2SK3525-01MR_03

更新时间： 2024-09-14 07:32:35
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富士电机 - FUJI /
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4页 104K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3525-01MR_03 数据手册

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FUJI POWER MOSFET  
200304  
2SK3525-01MR  
Super FAP-G Series  
Features  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
TO-220F  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
A
ID  
±8  
±32  
±30  
8
Equivalent circuit schematic  
A
ID(puls]  
VGS  
V
A
IAR  
*2  
*1  
Drain(D)  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS  
145.6  
20  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
*3  
5
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
2.16  
Gate(G)  
48  
+150  
-55 to +150  
2
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
°C  
Tstg  
°C  
VISO  
*5  
kVrms  
<
*1 L=4.2mH, Vcc=60V, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C *4 VDS 600V  
*5 t=60sec, f=60Hz  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
V
Tch=25°C  
µA  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=3A VGS=10V  
0.93  
1.20  
Ω
3
6
750  
100  
S
ID=3A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
1130  
150  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
4.0  
6.0  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=3A  
14  
9
21  
14  
VGS=10V  
24  
7
36  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
10.5  
30  
20  
QG  
VCC=300V  
ID=6A  
nC  
Total Gate Charge  
8.5  
13  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
5.5  
8.5  
VGS=10V  
8
L=4.2mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.7  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=6A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
µs  
µC  
3.5  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
2.60  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

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