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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3524-01
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2SK3524-01

更新时间： 2024-09-13 23:20:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
MOSFETs

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2SK3524-01 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：145.6 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3524-01 数据手册

 浏览型号2SK3524-01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3524-01的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3524-01的Datasheet PDF文件第4页 
FUJI POWER MOSFET  
2SK3524-01  
Super FAP-G Series  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
TO-220AB  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
Equivalent circuit schematic  
A
ID  
±6  
±24  
±30  
6
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
IAR  
*2  
*1  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS  
193  
20  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
*3  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
1.92  
Source(S)  
Tc=25  
62  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
Tstg  
<
°C  
°C  
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*1 L=9.83mH, Vcc=60V *2 Tch 150°C  
=
=
=
=
<
*4 VDS 600V  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
V
Tch=25°C  
µA  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=3A VGS=10V  
0.93  
1.20  
Ω
3
6
750  
100  
S
ID=3A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
1130  
150  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
4.0  
6.0  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=3A  
14  
9
21  
14  
VGS=10V  
24  
7
36  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
10.5  
30  
20  
QG  
VCC=300V  
ID=6A  
nC  
Total Gate Charge  
8.5  
13  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
5.5  
8.5  
VGS=10V  
6
L=9.83mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.7  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=6A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
µs  
µC  
3.5  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.92  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
1
1234

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