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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3516-01SJ
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2SK3516-01SJ

更新时间： 2024-09-24 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3516-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：155.3 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：450 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.65 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3516-01SJ 数据手册

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2SK3516-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
450  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
Equivalent circuit schematic  
A
ID  
±8  
±32  
±30  
8
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
IAR  
*2  
*1  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS  
193  
20  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
*3  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
1.67  
Source(S)  
Tc=25  
65  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
Tstg  
<
°C  
°C  
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*1 L=5.53mH, Vcc=45V *2 Tch 150°C  
=
=
=
=
<
*4 VDS 450V  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
450  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
V
Tch=25°C  
µA  
VDS=450V VGS=0V  
VDS=360V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
10  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=4A VGS=10V  
0.50  
0.65  
Ω
4
8
800  
120  
S
ID=4A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
1200  
150  
7
pF  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
f=1MHz  
4.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=4A  
VGS=10V  
15  
12  
25  
7
23  
18  
38  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
11  
VCC=225V  
ID=8A  
22  
33  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
9.5  
14.5  
10  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
6.5  
VGS=10V  
8
L=5.53mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.7  
1.50  
IF=8A VGS=0V Tch=25°C  
IF=8A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
V
µs  
µC  
3.5  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.92  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
1
1234

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