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2SK3473

更新时间： 2024-09-24 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 稳压器开关
页数 文件大小 规格书
6页 230K
描述
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3473 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SC-65包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.44雪崩能效等级（Eas）：413 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：1.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2SK3473 数据手册

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2SK3473  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIV)  
2SK3473  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 6.5S (typ.)  
= 1.3Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (V  
= 720 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
900  
900  
±30  
9
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
1. GATE  
Pulse (t = 1 ms)  
I
27  
DP  
2. DRAIN (HEAT SINK)  
3. SOURCE  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
150  
413  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
JEDEC  
―
(Note 2)  
JEITA  
SC-65  
2-16C1B  
Avalanche current  
I
9
15  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
TOSHIBA  
AR  
T
150  
ch  
Weight: 4.6 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.833  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
1
R
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150℃.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C(initial), L = 9.35 mH, I = 9 A, R = 25 Ω  
V
DD  
ch  
AR  
G
3
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2006-11-10  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3473(F) TOSHIBA

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