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2SK3236

更新时间： 2024-10-13 22:52:55
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 222K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)

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2SK3236 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：68 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：105 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3236 数据手册

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2SK3236  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)  
2SK3236  
Switching Regulator Applications, DC-DC Converter and  
Unit: mm  
Motor Drive Applications  
·
·
·
·
·
4 V gate drive  
Low drain-source ON resistance: R  
= 13.5 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 42 S (typ.)  
Low leakage current: I  
DSS  
Enhancement-model: V = 1.3~2.5 V (V  
fs  
= 100 µA (max) (V = 60 V)  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
60  
60  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kW)  
V
V
GS  
±20  
35  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
105  
30  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
SC-67  
2-10R1B  
Single pulse avalanche energy  
E
68  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
35  
3.0  
A
Weight: 1.9 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
4.16  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devises on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 50 V, T = 25°C, L = 40 mH, R = 25 W, I = 35 A  
DD ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution  
1
2002-08-12  
123456

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