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2SK3032(TENTATIVE)

更新时间： 2024-01-20 23:46:50
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2页 36K
描述
2SK3032 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3032(TENTATIVE) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.9
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3032(TENTATIVE) 数据手册

 浏览型号2SK3032(TENTATIVE)的Datasheet PDF文件第2页 
Power F-MOS FETs  
2SK3032 (Tentative)  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed  
● High-speed switching  
● Low ON-resistance  
unit: mm  
● No secondary breakdown  
● Low-voltage drive  
● High electrostatic breakdown voltage  
6.5±0.1  
5.3±0.1  
4.35±0.1  
2.3±0.1  
0.5±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
1.0±0.1  
0.1±0.05  
0.93±0.1  
0.5±0.1  
● Switching power supply  
0.75±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
2.3±0.1  
4.6±0.1  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
100  
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±20  
V
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
±25  
A
1
2
3
Drain current  
IDP  
±50  
A
U Type Package  
EAS*  
31.25  
10  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
PD  
W
1
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
*
L = 0.1mH, IL = 25A, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
10  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
IDSS  
VDS = 80V, VGS = 0  
VGS = ±20V, VDS = 0  
D = 1mA, VGS = 0  
VDS = 10V, ID = 1mA  
RDS(on)1 VGS = 10V, ID = 12A  
IGSS  
±10  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
I
100  
1
Gate threshold voltage  
Vth  
2.5  
100  
120  
V
64  
75  
16  
mΩ  
mΩ  
S
Drain to Source ON-resistance  
RDS(on)2  
| Yfs |  
VGS = 4V, ID = 12A  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
VDS = 10V, ID = 12A  
IDR = 25A, VGS = 0  
8
VDSF  
−1.7  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
1200  
280  
110  
8
pF  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
pF  
pF  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
ns  
VDD = 30V, ID = 12A  
7
ns  
Fall time  
tf  
VGS = 10V, RL = 2.5Ω  
110  
330  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Thermal resistance between channel and case  
Thermal resistance between channel and atmosphere  
td(off)  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
ns  
12.5  
125  
°C/W  
°C/W  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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