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2SK303

更新时间： 2024-02-24 00:39:04

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TYSEMI		晶体电位器开关放大器晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	96K
描述
Ideal for potentiometers, analog switches, low frequency amplifiers, constant current supplies

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技术参数
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2SK303 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.19
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK303 数据手册

SMD Type

Product specification

2SK303

SOT-23

Unit: mm

Features

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Ideal for potentiometers, analog switches, low

frequency amplifiers, constant current supplies, and

impedance conversion.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1Source

1.Base

1. Gate

2 Drain

2.Emitter

2. Source

3 Gate

3. Drain

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Gate to Drain voltage

Gate current

Symbol

V^DSS

V^GDS

I^G

Rating

Unit

-30

m A

Drain current

I^D

Power dissipation

P^D

200

Channel temperature

Storage temperature

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

T^ch

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Gate to drain

Symbol

V^GDS

I^GSS

I^DSS

Testconditons

Min

-30

Typ

Max

Unit

I^G=-10

Gate to source leakage current

Drain cut-off current

V^GS=-20V

-1.0

12.0

-4

V^DS=10V,V^GS=0

V^DS=10V,I^D=1

0.6

2.5

Cutoff voltage

VGS(off)

Y^fs

-1

6.0

250

Forward transfer admittance

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHz

VGS=0,VDS=10mV

RDS(on)

C^iss

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

Reverse transfer capacitance

C^rss

1.5

I^DSSClassification unit:mA

Marking

Rank

I^DSS

0.6 1.5

1.2 3.0

2.5 6.0

5.0 12.0

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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