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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.34 | 雪崩能效等级（Eas）： | 966 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 90 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3017(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 900V 8.5A 2-16F1B |
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| 2SK3017_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK3017_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK3018 | HTSEMI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| 2SK3018 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| 2SK3018 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance. Fast switching speed. Silicon N-channel MOSFET Drive circuits can be si |
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| 2SK3018 | ROHM |
获取价格 |
Small switching (30V, 0.1A) |
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| 2SK3018 | GSME |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs |
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| 2SK3018 | LGE |
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场效应晶体管 |
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| 2SK3018 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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