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2SK3009

更新时间： 2024-09-22 22:35:55

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新电元 - SHINDENGEN		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	358K
描述
VX-2 Series Power MOSFET(600V 8A)

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2SK3009 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3009 数据手册

SHINDENGEN

VX-2 Series Power MOSFET

N-Channel Enhancement type

OUTLINE DIMENSIONS

2SK3009

(F8S60VX2)

Caassee::SET-Opa-2c2k0

(Unit : mm)

600V 8A

FEATURES

●Input capacitance (Ciss) is small.

Especially, input capacitance

at 0 biass is small.

●The static Rds(on) is small.

●The switching time is fast.

●Avalanche resistance guaranteed.

APPLICATION

●Switching power supply of

AC 100-200V input

●Inverter

●Power Factor Control Circuit

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings （Tc=25℃）

Item

Symbol

Conditions

Ratings Unit

-55～150 ℃

150

stg

StorageTemperature

ChannelTemperature

DSS

GSS

Drain-SourceVoltage

600

±30

Gate-SourceVoltage

ContinuousDrainCurrent（DC）

ContinuousDrainCurrent（Peak)

ContinuousSourceCurrent（DC）

TotalPowerDissipation

SinglePulseAvalancheCurrent

Tch=25℃

12 3 4 5 6 7...10

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