2SK3003

更新时间： 2024-09-24 06:22:35

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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2SK3003 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
其他特性：	UL APPROVED	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.175 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3003 数据手册

2SK3003

Absolute Maximum Ratings

External dimensions

1 ...... FM20

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

200

max

µA

I_D= 100µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

(BR)DSS

I_GSS

I_DSS

V_TH

V_DSS

V_GSS

I_D

200

±100

100

4.0

±20

±18

V_DS= 200V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 1mA

V_DS= 10V, I_D= 9A

V_GS= 10V, I_D= 9A

2.0

I_{D (pulse)}

±72

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

130

850

550

250

P_D

35 (Tc = 25ºC)

120

175

mΩ

E_AS

I_AS

V_DS= 10V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tch

Tstg

150

ºC

I_D= 9A, V_DD100V,

R_L= 11.1Ω, V_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

–55 to +150

t_{d (off)}

t_f

1: P

100µs, duty cycle 1%

2: V = 25V, L = 650µH, I = 18A, unclamped, R = 50Ω,

See Figure 1 on Page 5.

V_SD

1.0

500

1.5

I_SD= 18A, V_GS= 0V

t_rr

I_SD= ±100mA

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