2SK3000

更新时间： 2024-09-24 06:18:23

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管
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Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching

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2SK3000 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3000 数据手册

2SK3000

Silicon N Channel MOS FET

Low Frequency Power Switching

REJ03G0379-0300Z

(Previous ADE-208-585A (Z))

Rev.3.00

Jun.15.2004

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.16 Ω typ. (V_GS= 10 V, I_D= 450 mA)

4 V gate drive devices.

•

Small package (MPAK)

Expansive drain to source surge power capability

Outline

MPAK

1. Source

2. Gate

3. Drain

Note: Marking is “ZY–”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

±10

1.0

Note1

Drain peak current

Reverse drain current

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

I_D(pulse)

4.0

I_DR

1.0

Pch ^Note2

Tch

400

150

°C

Tstg

–55 to +150

°C

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

2. When using the glass epoxy board (10 mm x 10 mm x 1 mm^t)

Rev.3.00, Jun.16.2004, page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3000-TL	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-23VAR
2SK3001	HITACHI	获取价格	GaAs HEMT Low Noise Amplifier
2SK3002	ALLEGRO	获取价格	Power Field-Effect Transistor, TO-220AB, TO-220F, FM20, 3 PIN
2SK3002DS	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
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2SK300-3	SONY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
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