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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3000 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching |
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| 2SK3000 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching |
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| 2SK3000 | KEXIN |
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N-Channel MOSFET |
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| 2SK3000-TL | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-23VAR |
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| 2SK3001 | HITACHI |
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GaAs HEMT Low Noise Amplifier |
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| 2SK3002 | ALLEGRO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-220AB, TO-220F, FM20, 3 PIN |
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| 2SK3002DS | KEXIN |
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N-Channel MOSFET |
|
| 2SK3003 | ALLEGRO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F |
|
| 2SK3003 | SANKEN |
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External dimensions |
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| 2SK300-3 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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