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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2908-01L
2SK2908-01L PDF预览

2SK2908-01L

更新时间： 2024-02-15 09:39:52
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 272K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2908-01L 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.37Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED雪崩能效等级（Eas）：144.4 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2908-01L 数据手册

 浏览型号2SK2908-01L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2908-01L的Datasheet PDF文件第3页 
N-channel MOS-FET  
2SK2908-01L,S  
FAP-IIIB Series  
600V  
1,2W  
±9A  
60W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- Avalanche Rated  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
DC-DC converters  
-
> Maximum Ratings and Characteristics  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
600  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
±9  
±32  
±35  
9
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
I
V
AR  
E
144.4  
60  
mJ*  
W
°C  
°C  
AV  
P
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
L=3.27mH,Vcc=60V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
600  
3,5  
Typ.  
4,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=600V  
VGS=0V  
VGS=±35V  
ID=4,5A  
ID=4,5A  
ID=4,5A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
4,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
DSS  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
I
DSS  
Gate Source Leakage Current  
I
100  
1,2  
GSS  
VGS=10V  
VGS=10V  
VDS=25V  
Drain Source On-State Resistance  
R
1,0  
1,0  
5
DS(on)  
1,2  
W
S
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
C
C
C
t
2,5  
fs  
VDS=25V  
900  
150  
70  
1400  
230  
110  
40  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
oss  
rss  
d(on)  
r
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=300V  
VGS=10V  
ID=9A  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
25  
t
70  
110  
90  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
60  
d(off)  
f
RGS=10 W  
t
35  
60  
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 3,27mH  
9
AV  
SD  
rr  
IF=2 X IDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
1,0  
550  
7,0  
1,50  
V
ns  
µC  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance  
R
R
channel to case  
channel to ambient  
2,08 °C/W  
75,0 °C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
 
123

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