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2SK2887

更新时间： 2024-01-21 05:31:17

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体开关晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
1页	111K
描述
Low on-resistance. Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Easy to parallel.

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2SK2887 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	CPT3, SC-63, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.71	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn98Cu2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2887 数据手册

Product specification

2SK2887

Features

TO-252

Unit: mm

Low on-resistance.

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Fast switching speed.

Wide SOA (safe operating area).

Gate-source voltage (V^GSS) guaranteed to be 30V.

Easily designed drive circuits.

Easy to parallel.

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

200

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

P^D

Power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

T^ch

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain to source breakdown voltage

Drain cut-off current

Gate leakage current

Gate threshold voltage

Forward transfer admittance

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Symbol

V^DSS

Testconditons

I^D=1mA,V^GS=0

Min

200

Typ

Max

Unit

I^DSS

I^GSS

V^GS(th)

Y^fs

V^DS=200V,V^GS=0

V^GS= 30V,V^DS=0

V^DS=10V,I^D=1mA

V^DS=10V,I^D=1.5A

V^GS=10V,I^D=1.5A

100

4.0

2.0

0.6

1.5

0.7

230

100

R^DS(on)

C^iss

C^oss

Crss

t^on

0.9

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

t^r

I^D=1.5A,V^GS(on)=10V,R^L=68 ,RG=10

,V^DD=100V

Turn-off delay time

t^off

Fall time

Reverse recovery time

t^rr

I^DR=3A,V^GS=0V,dⁱ/d^t=100A/

Qrr

Reverse recovery charge

0.56

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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与2SK2887相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK2887TL	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SK2889	TOSHIBA	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER	获取价格
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2SK2889(2-10S2B)	TOSHIBA	TRANSISTOR 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, 3 PIN, FET Genera	获取价格
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