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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 2-2H1B, SSM, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 40 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2825_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment |
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| 2SK2826 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2826 | RENESAS |
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70A, 60V, 0.0097ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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| 2SK2826-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK2826-S | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2826-S | RENESAS |
获取价格 |
70A, 60V, 0.0097ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN |
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| 2SK2826-S-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK2826-Z | RENESAS |
获取价格 |
70A, 60V, 0.0097ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SMD, 3 PIN |
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| 2SK2826-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK2826-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK2826-Z-E1-AZ |
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