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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2499-Z
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2SK2499-Z

更新时间： 2024-11-19 04:22:35
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 100K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2499-Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2499-Z 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS  
2SK2499, 2SK2499-Z  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SK2499 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-  
signed for high current switching applications.  
(in millimeters)  
10.6 MAX.  
4.8 MAX.  
3.6 0.ꢀ  
FEATURES  
• Low On-Resistance  
1.3 0.ꢀ  
10.0  
RDS(on)1 = 9 mΩ (VGS = 10 V, ID = 25 A)  
4
RDS(on)2 = 14 mΩ (VGS = 4 V, ID = 25 A)  
1 ꢀ 3  
• Low Ciss  
Ciss = 3 400 pF TYP.  
• High Avalanche Capability.  
• Built-in G-S Protection Diode  
0.5 0.ꢀ  
1.3 0.ꢀ  
0.75 0.1  
ꢀ.54  
ꢀ.8 0.ꢀ  
ꢀ.54  
1. Gate  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
ꢀ. Drain  
3. Source  
4. Fin (Drain)  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
60  
±20  
±50  
±200  
75  
V
V
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
JEDEC: TO-ꢀꢀ0AB  
A
MP-25 (TO-220)  
Drain Current (pulse)*  
A
4.8 MAX.  
(10.0)  
Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)  
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C)  
Channel Temperature  
W
W
˚C  
1.3 0.ꢀ  
4
PT2  
1.5  
Tch  
150  
Storage Temperature  
Tstg –55 to +150 ˚C  
1.4 0.ꢀ  
Single Avalanche Current**  
Single Avalanche Energy**  
IAS  
50  
A
1.0 0.3  
0.5 0.ꢀ  
EAS  
250  
mJ  
(ꢀ.54) (ꢀ.54)  
*
PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
1
ꢀ 3  
** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0  
1. Gate  
ꢀ. Drain  
3. Source  
4. Fin (Drain)  
MP-25Z (SURFACE MOUNT TYPE)  
Drain  
Body  
Diode  
Gate  
Gate Protection Diode  
Source  
Document No. D10045EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published May 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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