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2SK2418S

更新时间： 2024-02-05 19:01:02

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2SK2418S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2418S 数据手册

2SK2418 L , 2SK2418 S

Silicon N Channel MOS FET

Application

DPAK-2

High speed power switching

Features

• Low on–resistance

2, 4

• High speed switching

• Low drive current

• 2.5 V gate drive device can be driven from

3 V source

• Suitable for Switching regulator, DC – DC

converter

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

———————————————————————————————————————————

Drain to source voltage

DSS

———————————————————————————————————————————

Gate to source voltage

±10

GSS

———————————————————————————————————————————

Drain current

———————————————————————————————————————————

Drain peak current

D(pulse)

———————————————————————————————————————————

Body–drain diode reverse drain current

———————————————————————————————————————————

Channel dissipation

Pch**

———————————————————————————————————————————

Channel temperature

Tch

150

°C

———————————————————————————————————————————

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

———————————————————————————————————————————

PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

** Value at Tc = 25 °C

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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