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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 85 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2247 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2247 | RENESAS |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2247QY | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYTL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYTL | RENESAS |
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2A, 30V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2247QYTR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYTR | RENESAS |
获取价格 |
2A, 30V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2247QYUL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYUL | RENESAS |
获取价格 |
2A, 30V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2247QYUR | RENESAS |
获取价格 |
2A, 30V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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