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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 70 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2243 | SANKEN |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2244 | SANKEN |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2247 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2247 | RENESAS |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2247QY | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYTL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYTL | RENESAS |
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2A, 30V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2247QYTR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2247QYTR | RENESAS |
获取价格 |
2A, 30V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2247QYUL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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