5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 2.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2148-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2148-01R | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2149 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK214-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK214K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK215 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK215 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2150 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL MOS TYPE |
|
| 2SK2151 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2152 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
