是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.28 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
FET 技术: | JUNCTION | JESD-30 代码: | R-PDSO-G5 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Small Signal |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2145-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
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2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET | |
2SK2146 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET Gen | |
2SK2147-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-218VAR | |
2SK2147-01R | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | |
2SK2148-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2148-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2149 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR | |
2SK214-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK214K | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB | |
2SK215 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |