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2SK2145-Y(TE85L,F)

更新时间： 2024-09-26 15:29:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	302K
描述
2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

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2SK2145-Y(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.67
其他特性：	LOW NOISE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2145-Y(TE85L,F) 数据手册

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2SK2145

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type

2SK2145

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications

Unit: mm

•

Including two devices in SM5 (super mini type with 5 leads.)

High |Y |: |Y | = 15 mS (typ.) at V

= 10 V, V

= 0

High breakdown voltage: V

= −50 V

GDS

Low noise: NF = 1.0dB (typ.)

at V

= 10 V, I = 0.5 mA, f = 1 kHz, R = 1 kΩ

•

High input impedance: I

= −1 nA (max) at V

= −30 V

GSS

Marking

Pin Assignment (top view)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

(Q1, Q2 common)

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-3L1C

Characteristics

Gate-drain voltage

Symbol

Rating

Unit

Weight: 0.016 g (typ.)

−50

GDS

Gate current

Drain power dissipation

300

(Note 1)

Junction temperature

Storage temperature

125

°C

stg

−55 to 125

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Start of commercial production

1993-03

2014-03-01

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2146	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET Gen
2SK2147-01	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-218VAR
2SK2147-01R	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2148-01	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2148-01R	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2149	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247VAR
2SK214-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK214K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500MA I(D) \| TO-220AB
2SK215	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
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