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2SK2144

更新时间: 2024-01-25 05:04:09
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
6页 32K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK2144 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.47外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

2SK2144 数据手册

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2SK2144  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No Secondary Breakdown  
Suitable for Switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
TO-220CFM  
1
D
2
3
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
S

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