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2SK1600

更新时间: 2024-09-24 04:26:23
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 675K
描述
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL MOS TYPE

2SK1600 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 2-10P1B, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):9 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1600 数据手册

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