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2SK1379

更新时间: 2024-11-28 20:40:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
45页 1424K
描述
TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SK1379 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.025 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1379 数据手册

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2004-3  
PRODUCT GUIDE  
Power MOSFETs  
semiconductor  
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng  
2004  

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