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2SK1229

更新时间： 2024-02-18 17:53:08

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	130K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET

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2SK1229 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.06 A
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.16 W	子类别：	FET RF Small Signal
Base Number Matches：	1

2SK1229 数据手册

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