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2SK1062(T5LMATUD,F

更新时间： 2024-11-26 14:39:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 322K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET

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2SK1062(T5LMATUD,F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：18 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1062(T5LMATUD,F 数据手册

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2SK1062  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
2SK1062  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
Analog Switching Applications  
Interface Applications  
•
•
Excellent switching time: t = 14 ns (typ.)  
on  
High forward transfer admittance: |Y | = 100 ms (min)  
fs  
@I = 50 mA  
D
•
•
•
Low on resistance: R  
= 0.6 Ω (typ.) @ I = 50 mA  
DS (ON) D  
Enhancement-mode  
Complementary to 2SJ168  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
60  
±20  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
JEDEC  
JEITA  
―
DC  
I
200  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
800  
SC-59  
2-3F1F  
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
200  
mW  
°C  
D
ch  
stg  
TOSHIBA  
T
150  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Marking  
Start of commercial production  
1988-01  
1
2014-03-01  
12345

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与2SK1062(T5LMATUD,F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1062(T5RALPSA,F TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1062_07 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications
2SK1062TE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose
2SK1062TE85LF TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Applications
2SK1062TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose
2SK1063 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3
2SK10639 ETC

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 		MOSFETs
2SK1063M ETC

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 		MOSFETs
2SK1064 ETC

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 		MOSFETs
2SK1065 SANYO

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 		High-Frequency General-Purpose Amp Applications

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