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2SK0664G

更新时间： 2024-02-18 07:04:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	282K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SK0664G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	50 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK0664G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon MOSFETs (Small Signal)

2SK0664G

Silicon N-channel MOSFET

For switching circuits

■ Features

■ Package

•

• High-speed switching

Code

• S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-

matic insertion through the tape/magazine packing

SMini3-F2

Marking Symbol: 3N

•

Pin Name

1: Gate

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2: Source

3: Drain

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source voltage (Drain open)

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSO

I_D

Rating

Unit

100

■ Internal Connection

°C

Peak drain current

I_DP

200

Power dissipation

P_D

150

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

V_DSS

I_DSS

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_D= 100 µA, V_GS= 0

V_DS= 10 V, V_GS= 0

µA

I_GSS

V_GS= 8 V, V_DS= 0

V_th

I_D= 100 µA, V_DS= V_GS

I_D= 20 mA, V_DS= 5 V, f = 1 kHz

1.5

3.5

Forward transfer admittance

Drain-source ON resistance

Y_fs

Ω

R_DS(on)I_D= 20 mA, V_GS= 5 V

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 5 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

5.0

1.0

Short-circuit output capacitance

(Common source)

Reverse transfer capacitance

(Common source)

1, 2

Turn-on time ^*

t_on

V_DD= 5 V, V_GS= 0 V ~ 5 V, R_L= 200 Ω

V_DD= 5 V, V_GS= 5 V ~ 0 V, R_L= 200 Ω

1, 2

Turn-off time ^*

t_off

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. Observe precautions for handling. Electrostatic sensitive devices.

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: June 2007

SJF00061AED

12 3 4

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