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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SC-96 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.556 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ626-T2B | RENESAS |
获取价格 |
2SJ626-T2B |
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| 2SJ628 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ629 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SJ630 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SJ632 | SANYO |
获取价格 |
P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
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| 2SJ633 | SANYO |
获取价格 |
2SJ633 |
|
| 2SJ634 | SANYO |
获取价格 |
DC/ DC CONVERTER TRANSISTOR |
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| 2SJ635 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SJ636 | SANYO |
获取价格 |
2SJ636 |
|
| 2SJ637 | SANYO |
获取价格 |
DC/DC FOR CONVERTER |
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