5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 16 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ208-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),SC-62 |
|
| 2SJ208-T2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),SC-62 |
|
| 2SJ209 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
|
| 2SJ209 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Fied Effect Transistor |
|
| 2SJ209-L | RENESAS |
获取价格 |
2SJ209-L |
|
| 2SJ209-L-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ209-L-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ209-T1B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ209-T2B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ209-T2B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
