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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 160 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ162-E | RENESAS |
完全替代  |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ161 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ162-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ163 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon P-Channel Junction FET |
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| 2SJ163O | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ163P | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ163Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ163TSK | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ164 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon P-Channel Junction FET |
|
| 2SJ164Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ165 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
|
| 2SJ165-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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