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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220IS |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ148 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HGIH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ148_07 | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |
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| 2SJ154 | ETC |
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MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SJ160 | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ160 | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ160|2SJ161|2SJ162 | ETC |
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| 2SJ160-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ161 | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ161 | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ161-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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