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2SF292200HYY

更新时间： 2024-01-08 13:11:30

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士兰微 - SILAN		二极管快恢复二极管快速恢复二极管
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描述
FAST RECOVERY DIODE CHIPS

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2SF292200HYY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	15 A	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SF292200HYY 数据手册

2SF292200HYY

2SF292200HYY FAST RECOVERY DIODE CHIPS

DESCRIPTION

2SF292200HYY is

fast recodvioedrye chips

fabricated in silicon epitaxial planar technology;

Fast recovery times;

High current capability;

High surge current capability;

Low forward voltage drop;

Low reverse current leakage;

Top metal is Ag, Back metal is Ag;

Chip Size: 29m2m0 X 2920mm;

Chip Topography and Dimensions

Chip Thickness: 280±20mm;

La: Chip Size:2920 mm;

Lb: Pad Size: 2840 mm;

ORDERING SPECIFICATIONS

Product Name

Specification

For Au and AlSi wire bonding

package

2SF292200HYY

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameters

Symbol

Ratings

Unit

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

200

RRM

Average Forward RectifiedCurrent@Tc=150°C

Peak Forward Surge Current@8.3ms

Maximum Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

FAV

390

FSM

175

°C

•55~175

STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25ć)

Parameters

Reverse Voltage

Symbol

Test Conditions

I R=50ȝA

I =5A

Min.

200

••

Max.

••

Unit

0.84

0.96

Forward Voltage

I =20A

••

Reverse Current

V =200V

••

ȝA

Reverse recovery time

Trr

I =0.5A,I =1A;Irr=0.25A

••

200

HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD

Http: www.silan.com.cn

REV:1.0

2008.06.06

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