2SD998

更新时间： 2024-09-15 06:19:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	158K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD998 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD998

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·Complement to type 2SB778

APPLICATIONS

·High power amplifier applications

·Recommended for 45~50W audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

MAX

120

UNIT

Open base

Open collector

I_B

Base current

1.0

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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