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2SD965U

更新时间： 2024-11-21 14:53:35

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先科 - SWST		晶体管
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5页	273K
描述
小信号晶体管

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2SD965U 数据手册

2SD965U

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

For low frequency power amplification

The transistor is subdivided into three groups, Q,

R and P, according to its DC current gain.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

Total power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

I_CP

0.75

P_tot

℃

T_j

150

℃

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

167

Unit

Thermal Resistance from Junction Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 19/07/2021 Rev: 04

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