2SD965T

更新时间： 2024-11-18 13:01:23

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WEITRON		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	484K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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2SD965T 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

2SD965T 数据手册

WEITRON

2SD965

NPN Transistor

P b

COLLECTOR

Lead(Pb)-Free

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

BASE

FEATURES :

EMITTER

TO-92

* Flash unit of camera

* Switching circuit

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Units

750

150

P_C

T_J

℃

Storage Temperature

T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C=0.1mA, I_E=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=1mA, I_B=0

I_E= 10μA, I_C=0

V_CB=30V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=6V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=2V, I_C= 0.15 mA

V_CE= 2V,I_C= 500 mA

V_CE=2V, I_C= 2A

I_C=3000mA,I_B=100 mA

150

340

150

DC current gain

h_FE(2)

2000

0.35

h_FE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_CE=6V,

I_C=50mA,f=30MHz

f_T

150

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

Range

340-600

560-950

900-2000

WEITRON

hpp://www.weitron.com.tw

01-Sep-09

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