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2SD965AS(SOT-89)

更新时间： 2024-11-10 07:20:03

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描述
Transistor

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2SD965AS(SOT-89) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	560	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

2SD965AS(SOT-89) 数据手册

UTC2SD965/A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW VOLTAGE HIGH CURRENT

NPN TRANSISTOR

FEATURES

* Collector current up to 5A

* 2SD965 : Collector-Emitter voltage up to 20 V

* 2SD965A : Collector-Emitter voltage up to 30 V

APPLICATIONS

* Audio amplifier

* Flash unit of camera

* Switching circuit

SOT-89

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3: BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{( Ta=25°C )}

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

2SD965

2SD965A

VCBO

VCEO

Emitter-base voltage

Collector dissipation(Ta=25°C)

Collector current

VEBO

750

Junction Temperature

Storage Temperature

TSTG

150

-65 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS_{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

2SD965

SYMBOL

BVCBO

TEST CONDITIONS

Ic=100µA,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

Ic=1mA,IB=0

BVCEO

2SD965A

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain(note)

BVEBO

ICBO

IEBO

IE=10µA,Ic=0

VCB=10V,IE=0

VEB=7V,Ic=0

VCE=2V,Ic=1mA

VCE=2V,Ic=0.5A

VCE=2V,Ic=2A

100

200

150

hFE

230

150

800

Collector-emitter saturation voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

VCE(sat) Ic=3A, IB= 0.1A

MHz

VCE=6V,Ic=50mA

VCB=20V,IE=0,f=1MHz

Cob

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R208-003,B

12 3

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