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2SD886(TO-126)

更新时间： 2024-02-17 12:20:47

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	105K
描述
Transistor

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2SD886(TO-126) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SD886(TO-126) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

2SD886 TRANSISTOR (NPN)

TO – 126

FEATURES

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Low Voltage

High Current

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_j

125

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=100µA,I_E=0

I_C=5mA,I_B=0

I_E=100µA,I_C=0

V_CB=50V,I_E=0

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=3V,I_C=0

h_FE(1)

V_CE=2V, I_C=20mA

V_CE=2V, I_C=1A

I_C=2A,I_B=200mA

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

V_CE=5V,I_C=100mA

100

DC current gain

h_FE(2)

400

0.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(sat)

C_ob

MHz

f_T

*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.

A,Dec,2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD886(TO-126C)	CJ	获取价格	Transistor
2SD886-TO-126	CJ	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
2SD888	ETC	获取价格	High hff,AF Power Amplifier
2SD889	PANASONIC	获取价格	2SD889
2SD889P	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SD889Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SD889S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SD892	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
2SD892A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
2SD892AQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,