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2SD882Y

更新时间: 2024-02-27 01:00:44
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WEITRON /
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5页 687K
描述
Transistor

2SD882Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.63最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

2SD882Y 数据手册

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2SB772  
2SD882  
PNP / NPN Epitaxial Planar Transistors  
TO-126  
1.EMITTER  
2.COLLECTOR  
3.BASE  
P b  
Lead(Pb)-Free  
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
a
Rating  
Symbol  
PNP/2SB772  
Unit  
NPN/2SD882  
V
-30  
30  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
V
-40  
-5.0  
-3.0  
-7.0  
40  
5.0  
3.0  
7.0  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CBO  
V
EBO  
I
Collector Current(DC)  
Collector Current(Pulse)(1)  
Base Current  
C(DC)  
I
C(Pulse)  
I
B(Pulse)  
-0.6  
0.6  
P
1.0  
10  
Total Cevice Disspation Ta=25°C  
Total Cevice Disspation Tc=25°C  
Junction Temperature  
Storage, Temperture  
D
P
W
D
T
j
150  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
°C  
Device Marking  
2SB772=B772 , 2SD882=D882  
ELECTORICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
-30/30  
-
Vdc  
Vdc  
Collect-Emitter Breakdown Voltage (I =-10/10 mAdc, I =0)  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
C
B
Collect-Base Breakdown Voltage (I =-100/100 µAdc, I =0)  
V
-40/40  
-
C
E
Emitter-Base Breakdown Voltage (I =-100/100 µAdc, I =0)  
V
-5.0/5.0  
-
Vdc  
E
C
(BR)EBO  
Collector Cutoff Current (V =-30/30 Vdc, I =0)  
I
-
-
-
-1.0/1.0  
-1.0/1.0  
-1.0/1.0  
µAdc  
µAdc  
µAdc  
CE  
B
CEO  
Collector Cutoff Current (V =-40/40 Vdc, I =0)  
I
CB  
E
CBO  
Emitter Cutoff Current (V =-6.0/6.0Vdc, I =0)  
I
EB  
C
EBO  
NOTE: 1.PW 350us, duty cycle 2%  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/5  
Rev.B 14-Aug-07  

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