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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD882GP-A
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2SD882GP-A

更新时间： 2024-11-23 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
力勤 - CHENMKO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
Power Bipolar Transistor,

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2SD882GP-A 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SD882GP-A 数据手册

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD  
2SD882PT  
SMALL FLAT  
NPN Epitaxial Transistor  
VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 Ampere  
APPLICATION  
* Power driver and Dc to DC convertor .  
FEATURE  
* Small flat package. (SC-62/SOT-89)  
SC-62/SOT-89  
* Low saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=2A)  
* High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)  
* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).  
* High saturation current capability.  
4.6MAX.  
1.7MAX.  
1.6MAX.  
0.4+0.05  
CONSTRUCTION  
* NPN Switching Transistor  
+0.08  
0.45-0.05  
MARKING  
* hFE Classification Q: Q82  
P: P82  
+0.08  
+0.08  
0.40-0.05  
0.40-0.05  
1.50+0.1  
1.50+0.1  
E: 882  
1
2
3
1 Base  
2 Collector ( Heat Sink )  
3 Emitter  
CIRCUIT  
1
B
2
C
3
E
Dimensions in millimeters  
SC-62/SOT-89  
MAXIMUM RATINGES ( At TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
CONDITION  
Open Emitter  
SYMBOL  
VCBO  
MIN.  
-
MAX.  
40  
UNITS  
Volts  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Collector Current DC  
Open Base  
VCEO  
VEBO  
IC  
-
30  
5
Volts  
Volts  
Amps  
Amps  
Amps  
mW  
oC  
Open Collector  
-
-
3
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
ICM  
-
-
3
IBM  
0.5  
1500  
+150  
+150  
+150  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
Operating Ambient Temperature  
TA ≤ 25OC; Note 1  
PTOT  
TSTG  
TJ  
-
-55  
-
oC  
TAMB  
-55  
oC  
Note  
1. Transistor mounted on ceramic substrate 50mmX50mmx0.8t.  
2. Measured at Pulse Width 300 us, Duty Cycle 2%.  
2003-8  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD882G-P-T60-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, H
2SD882G-P-T9N-B UTC

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2SD882G-P-T9N-K UTC

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