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2SD882E(TO-251)

更新时间： 2024-11-19 19:59:59

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描述
Transistor

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2SD882E(TO-251) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	200	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SD882E(TO-251) 数据手册

UTC2SD882

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE

TRANSISTOR

FEATURES

*High current output up to 3A

*Low saturation voltage

*Complement to 2SB772

APPLICATIONS

* Audio power amplifier

* DC-DC convertor

* Voltage regulator

TO-251

1:BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{( Ta=25°C ,unless otherwise specified )}

PARAMETER

Collector-base voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector dissipation( Tc=25°C)

Collector dissipation( Ta=25°C)

Collector current(DC)

Collector current(PULSE)

Base current

0.6

Junction Temperature

Storage Temperature

TSTG

150

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS_{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VCB=30V,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain(note 1)

ICBO

IEBO

hFE1

hFE2

1000

VEB=3V,Ic=0

VCE=2V,Ic=20mA

VCE=2V,Ic=1A

100

200

150

0.3

1.0

400

0.5

2.0

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

VCE(sat)

VBE(sat)

Ic=2A,IB=0.2A

VCE=5V,Ic=0.1A

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

MHz

Cob

Note 1:Pulse test:PW<300µs,Duty Cycle<2%

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R213-002,A

12 3

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