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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD882-BP
2SD882-BP PDF预览

2SD882-BP

更新时间： 2024-11-20 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 300K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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2SD882-BP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.57Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

2SD882-BP 数据手册

 浏览型号2SD882-BP的Datasheet PDF文件第2页 
2SD882-R  
2SD882-O  
2SD882-Y  
2SD882-GR  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
•
•
•
Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 3.0A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
K
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
A
N
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
D
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
30  
40  
6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =10mAdc, IB=0)  
C
ꢀ
E
Collector-Base Breakdown Voltage  
M
B
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Adc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
(I =100uAdc, IC=0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc, IE=0)  
1.0  
1.0  
1.0  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
CBO  
1
2
3
ICEO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, I =0)  
Emitter Cutoff Current  
L
B
G
(VEB=6.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
DC Current Gain  
60  
32  
---  
---  
50  
400  
---  
---  
---  
C
(I =1.0Adc, VCE=2.0Vdc)  
C
hFE-2  
DC Current Gain  
(I =100mAdc, VCE=2.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.5  
2.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
(I =2.0Adc, IB=0.2Adc)  
C
F
Base-Emitter Saturation Voltage  
Q
(I =2.0Adc, IB=0.2Adc)  
C
Transition Frequency  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
J
(VCE=5.0Vdc, IC=0.1Adc, f=10MHz)  
DIMENSIONS  
FE  
CLASSIFICATION OF H  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
7.40  
10.60  
15.30  
3.90  
3.00  
0.66  
1.17  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢆ  
Rank  
Range  
R
O
Y
GR  
200-400  
ꢉꢆ  
ꢍ
0.291  
0.417  
0.602  
ꢎꢏꢐꢑ4  
0.118  
0.026  
0.046  
0.307ꢆ  
0.433  
0.618  
ꢎꢏꢐꢒ1  
0.126  
0.034  
0.054  
7.80  
11.00  
15.70  
4.10  
3.20  
0.86  
1.37  
60-120  
100-200  
160-320  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢓ
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
ꢔ
ꢕꢆ  
0.090TYP  
0.098  
2.290TYP  
2.50  
ꢖꢆ  
0.114  
2.90  
L
M
N
0.083  
0.000  
0.043  
0.091  
0.012  
0.059  
2.10  
0.00  
1.10  
2.30  
0.30  
1.50  
Q
0.018  
0.024  
0.45  
0.60  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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2SD882-C-T6C-B UTC

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