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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD718A-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718A-O-W-N-B | JSMC |
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| 2SD718B-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718B-O-W-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718C-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718C-O-W-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SD718-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718-O-W-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD718R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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