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2SD688

更新时间: 2024-01-29 15:19:08
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东芝 - TOSHIBA PC
页数 文件大小 规格书
1页 82K
描述
SILICON NPN EPITAXIAL (PCT PROCESS)

2SD688 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):8 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2SD688 数据手册

  

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