2SD686

更新时间： 2024-02-09 08:31:52

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD686 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD686 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD686

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB676

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Switching applications

·Hammer drive,pulse motor drive

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

100

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-50~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD687	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
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2SD688	TOSHIBA	SILICON NPN EPITAXIAL (PCT PROCESS)	获取价格
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