2SD683

更新时间： 2024-01-08 16:03:08

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	193K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD683 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD683

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 500(Min.)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·High voltage and high power switching applications.

·Motor driver applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current

VALUE

600

400

UNIT

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

150

-65~150

℃

Junction Temperature

T_j

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

下载PDF

与2SD683相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD683A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3	获取价格
2SD684	ISC	Silicon NPN Darlington Power Transistor	获取价格
2SD684A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-66	获取价格
2SD685	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3	获取价格
2SD686	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD686	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格