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2SD675

更新时间： 2024-09-24 06:17:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	198K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD675 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SD675

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 160V(Min)

·High Power Dissipation-

: P_C= 100W(Max)@T_C=25℃

·Complement to Type 2SB655

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

160

UNIT

160

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

100

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SD684	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD684A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-66
2SD685	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
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