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2SD673C

更新时间： 2024-02-04 14:21:20

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无锡固电 - ISC		/
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2页	204K
描述
Transistor

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2SD673C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD673C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SD673

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·High Power Dissipation-

: P_C= 60W(Max)@T_C=25℃

·Complement to Type 2SB653

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

120

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SD673C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD675	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD676	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD683	ISC	Silicon NPN Darlington Power Transistor	获取价格
2SD683A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3	获取价格
2SD684	ISC	Silicon NPN Darlington Power Transistor	获取价格
2SD684A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-66	获取价格