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2SD673

更新时间： 2024-09-24 06:20:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	198K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD673 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SD673

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·High Power Dissipation-

: P_C= 60W(Max)@T_C=25℃

·Complement to Type 2SB653

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

120

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD673A	ETC	获取价格	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD673A
2SD673B	ISC	获取价格	Transistor
2SD673C	ISC	获取价格	Transistor
2SD675	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD676	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD683	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD683A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3
2SD684	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD684A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-66
2SD685	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3