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2SD600F

更新时间： 2024-11-01 20:31:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
4页	195K
描述
Transistor

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2SD600F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD600F 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD600 2SD600K

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SB631/631K

·High breakdown voltage V_CEO100/120V

·High current 1A

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplifier

applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2SD600

2SD600K

2SD600

2SD600K

100

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

120

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

120

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Open collector

I_CM

T_a=25℃

T_C=25℃

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3 4

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与2SD600F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD600K	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD600K	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD600K	SANYO	获取价格	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications
2SD600K	FOSHAN	获取价格	TO-126F
2SD600KD	ISC	获取价格	Transistor
2SD600KE	ISC	获取价格	Transistor
2SD600KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-126
2SD600K-F	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SD601	PANASONIC	获取价格	Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SD601A	TYSEMI	获取价格	High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sa